Top Google Việt Nam : Làm Biển Quảng Cáo, Mua Bán Ô Tô Cũ, Phong Thủy, Gitizen.info, Blog Thủ Thuật SEO, Quà Tặng Lưu Niệm

Chủ Nhật, 20 tháng 4, 2014

Phương pháp mới sản xuất vật liệu năng lượng mặt trời

Giáo sư Chih-Hung Chang, trưởng nhóm nghiên cứu cho rằng, phương pháp này giúp làm giảm giá năng lượng màng tang và khi được dùng rộng rãi, sẽ làm giảm phát thải các bon, rất có ý nghĩa về bảo vệ môi trường. Ngoại giả, có thể sinh sản nguyên liệu năng lượng mặt trời ở bất cứ đâu có đủ tài nguyên năng lượng thái dương và không hề tốn phí năng lượng. Các phương pháp chế tác pin màng tang hiện nay đốn dựa vào quy trình sản xuất theo từng mẻ nên mất nhiều thời gian và tốn kém. Ngược lại, nghiên cứu này dùng bình phản ứng nhỏ “dòng chảy liên tục” tạo ra mực in từ hạt nano để sinh sản pin quạ. Trong quy trình mới này, ánh nắng màng tang mô phỏng được giao hội vào bình phản ứng nhỏ để làm nóng bình nhanh, trong khi cho phép kiểm soát xác thực nhiệt độ để bảo đảm chất lượng sản phẩm rút cuộc. Ánh nắng trong các thể nghiệm này được sản sinh một cách nhân tạo, nhưng quy trình này có thể được thực hành bằng ánh nắng dữ trực tiếp với tổn phí rất thấp. Ông Chang cho rằng, hệ thống mới có thể tổng hợp các vật liệu năng lượng ác vàng trong vài phút, trong khi các quy trình khác mất từ 30 phút đến 1giờ. Ích về tốc độ hoạt động là giảm được chi phí. Trong các thể nghiệm, vật liệu thái dương được sản xuất bằng sunphit đồng kẽm chì. Để qui trình hoạt động liên tiếp 24 giờ/ngày, trước nhất, ánh nắng quạ được dùng để tạo ra muối nóng chảy dùng làm nguồn năng lượng cho sản xuất. Như vậy có thể kiểm soát chính xác hơn nhiệt độ xử lý cần để chế tác vật liệu năng lượng quạ. Trong phòng thí nghiệm, pin ác màng mỏng tiền tiến làm từ chalcogen đã đạt hiệu suất chuyển đổi năng lượng mặt trời khá cao, khoảng 20%, nhưng ít tốn kém hơn công nghệ silicon. Hiệu suất chuyển đổi còn có thể được cải tiến hơn nữa. Lợi thế nữa của các pin kim ô màng mỏng này là thực tại, các lớp tiếp nhận năng lượng thái dương chỉ mỏng khoảng 1-2 micron, thay vì dày từ 50-100 micron đối với nhiều pin silicon truyền thống. Bảo Anh t heo Cục Thông tin KH&CN nhà nước

Không có nhận xét nào:

Đăng nhận xét